LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時(shí)盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10？4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結(jié)束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護(hù)下進(jìn)行。合金化的時(shí)間和溫度通常是根據(jù)半導(dǎo)體材料特性與合金爐形式等因素決定。當(dāng)然若是藍(lán)綠等芯片電極工藝還要復(fù)雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。
一般來說，LED外延生產(chǎn)完成之后她的主要電性能已定型，芯片制造不對其產(chǎn)甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當(dāng)?shù)臈l件會造成一些電參數(shù)的不良。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割后，如果對芯片邊緣進(jìn)行一些腐蝕工藝，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。這是因?yàn)橛媒饎偸拜喌镀懈詈螅酒吘墪埩糨^多的碎屑粉末，這些如果粘在LED芯片的PN結(jié)處就會造成漏電，甚至?xí)袚舸┈F(xiàn)象。另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產(chǎn)過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結(jié)構(gòu)等辦法可以提高光強(qiáng)。
LED芯片大小根據(jù)功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據(jù)客戶要求可分為單管級、數(shù)碼級、點(diǎn)陣級以及裝飾照明等類別。至于芯片的具體尺寸大小是根據(jù)不同芯片生產(chǎn)廠家的實(shí)際生產(chǎn)水平而定，沒有具體的要求。只要工藝過關(guān)，芯片小可提高單位產(chǎn)出并降低成本，光電性能并不會發(fā)生根本變化。芯片的使用電流實(shí)際上與流過芯片的電流密度有關(guān)，芯片小使用電流小，芯片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話，那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發(fā)光效率比小電流低。另一方面，由于面積增大，芯片的體電阻會降低，所以正向?qū)妷簳兴陆怠?/div>
用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由于量子效率一般小于20%大部分電能會轉(zhuǎn)換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，要求芯片有較大的面積。
普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半導(dǎo)體材料，一般都可以做成N型襯底。采用濕法工藝進(jìn)行光刻，最后用金剛砂輪刀片切割成芯片。GaN材料的藍(lán)綠芯片是用的藍(lán)寶石襯底，由于藍(lán)寶石襯底是絕緣的，所以不能作為LED的一個(gè)極，必須通過干法刻蝕的工藝在外延面上同時(shí)制作P/N兩個(gè)電極并且還要通過一些鈍化工藝。由于藍(lán)寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。它的工藝過程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而復(fù)雜。
所謂透明電極一是要能夠?qū)щ姡且軌蛲腹狻＿@種材料現(xiàn)在最廣泛應(yīng)用在液晶生產(chǎn)工藝中，其名稱叫氧化銦錫，英文縮寫ITO，但它不能作為焊墊使用。制作時(shí)先要在芯片表面做好歐姆電極，然后在表面覆蓋一層ITO再在ITO表面鍍一層焊墊。這樣從引線上下來的電流通過ITO層均勻分布到各個(gè)歐姆接觸電極上，同時(shí)ITO由于折射率處于空氣與外延材料折射率之間，可提高出光角度，光通量也可增加。
隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越多，特別是白光LED的出現(xiàn)，更是成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。提高功率意味著芯片的使用電流加大，最直接的辦法是加大芯片尺寸，現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問題成為突出問題，現(xiàn)在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用會面臨一個(gè)前所未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
藍(lán)光LED通常采用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率低，如果采用正裝結(jié)構(gòu)，一方面會帶來防靜電問題，另一方面，在大電流情況下散熱也會成為最主要的問題。同時(shí)由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發(fā)光效率會降低。大功率藍(lán)光LED通過芯片倒裝技術(shù)可以比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)得到更多的有效出光。
現(xiàn)在主流的倒裝結(jié)構(gòu)做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍(lán)光LED芯片，同時(shí)制備出比藍(lán)光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)線層（超聲金絲球焊點(diǎn)）。然后，利用共晶焊接設(shè)備將大功率藍(lán)光LED芯片與硅襯底焊接在一起。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于藍(lán)寶石襯底，所以散熱的問題很好地解決了。由于倒裝后藍(lán)寶石襯底朝上，成為出光面，藍(lán)寶石是透明的，因此出光問題也得到解決。
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